La natura del precursore ricopre un ruolo importante nella deposizione di film sottili attraverso il Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) e Atomic Layer Deposition (ALD), processi che possono avvalersi sia di composti convenzionali (commercialmente disponibili), sia di molecole appositamente sintetizzate. La volatilità, la decomposizione (indotta per via termica o da altri tipi di attivazione), l’ingombro sterico, la reattività e la formazione di sottoprodotti del precursore, influenzano la velocità di crescita dei film, la loro composizione, la fase cristallografica e la microstruttura ottenibili. Sebbene sia possibile ottenere film a matrice ossidica da precursori commerciali, la ricerca continua a focalizzarsi sulla sintesi della molecola che meglio coniuga caratteristiche a volte contrastanti fra loro, cercando di ottimizzare parametri come ingombro sterico, peso molecolare, stabilità chimica e termica fino ad ottenere adeguate volatilità e reattività del precursore.
L’obiettivo è, dunque, la sintesi di precursori metallorganici di differenti metalli con leganti bidentati (quali β-dichetonati diversamente funzionalizzati), ammidi e organometallici con alchili, arili, ciclopentadienili e derivati, per la deposizione di film ossidici via ALD e MOCVD per applicazioni nell’ambito della fotocatalisi, nel settore protettivo, biomedicale etc.